Tính toán tham số của nguồn phát xạ tần số cao gây hỏng hóc mạch điện tử
Từ khóa:
Năng lượng điện từ trường, Tần số cao, Phá hỏng mạch điện tử, Mạch tích hợp (IC)Tóm tắt
Mạch điện tử mà thành phần chính của nó là các linh kiện bán dẫn rời rạc hay mạch tích hợp (IC) có xu hướng liên tục thu nhỏ, điện áp cung cấp cho sự hoạt động của mạch thấp hơn. Nhiễu điện từ trường từ nguồn công suất đủ lớn, xâm nhập vào các thiết bị điện tử bán dẫn một cách cố ý hoặc không cố ý đều làm cho các mạch điện tử ở trạng thái hoạt động không đúng chức năng thiết kế hoặc thậm chí không hoạt động. Bài báo này đặt vấn đề tính toán độ lớn công suất nguồn phát tín hiệu tần số cao làm cho các mạch điện tử xảy ra hỏng hóc. Thực nghiệm sử dụng một nguồn phát bao gồm hệ thống ống dẫn sóng, đèn dao động (magnetron), một số phụ kiện khác và mạch điện tử được tích hợp các IC chế tạo theo công nghệ TTL/CMOS làm đối tượng thử nghiệm. Kết quả trong quá trình thực nghiệm xác định phạm vi mức công suất của nguồn phát tín hiệu tần số cao có thể làm ảnh hưởng đến sự hoạt động của thiết bị điện tử. Đồng thời bài báo cũng đề xuất những ứng dụng khác nhau dựa trên những ảnh hưởng này.
Tài liệu tham khảo
Nicholas A. Estep, “High Power Microwave (HPM) and Ionizing Radiation Effects on CMOS Devices,” Thesesand Dissertations (2009), tr. 6-25.
Michael A. Holloway, “Characterization and Modeling of High Power Microwave Effects in CMOS Microelectronics,” University of Maryland, College Park, Department of Electrical and Computer Engineering (2010), pp. 3-18.
Dr. John Rodgers, “Protection of Electronic Systems from the Effects of High-Power Microwave (HPM) and Ultra-Wideband (UWB) Sources,” University of Maryland, Institute for Research in Electronics and Applied PhysicsEnergy Research Facility (2012), tr. 2-12.
