Một số tác động của môi trường không gian vũ trụ tới đặc tính điện của dụng cụ bán dẫn trên các khí cụ bay
Từ khóa:
Bán dẫn, MOSFET, Bức xạ ion hóa, điện môi SiO2Tóm tắt
Bài báo trình bày một số tác động của bức xạ ion không gian đối với tham số điện của bán dẫn CMOS. Các tác động này được tính toán mô phỏng bằng phương pháp tính toán số. Kết quả tính toán cho phép ước lượng thời gian làm việc an toàn của thiết bị điện tử- bán dẫn trong môi trường không gian.
Tài liệu tham khảo
M. Bagatin, S. Gerardin, “Ionizing Radiation Effects in Electronics: From Memories to Imagers,” CRC Press, 2015. – p. 191.
A. H. Siedle, L. Adams, “Handbook of Radiation Effects,” OUP Oxford, 2002. – p. 640.
Radiation Effects on Electronic Components in Low-Earth Orbit, Reliability Practice No. PD-ED-1258, NASA, 1996. - p.7.
Shin., et al. “Radiation effect for a CubeSat in slow transition from the Earth to the Moon” J. Advances in Space Research, Vol. 55, Issues 7, 2015, pp. 1792-1798.
Đỗ Xuân Thụ, “Dụng cụ bán dẫn”, tập 2, NXB Đại học và trung học chuyên nghiệp (1985), tr. 16-30.
B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” 2nd, Wiley, 2013. – p. 923.
McLean, F B, and Oldham, T R. Tue. "Basic mechanisms of radiation effects in electronic materials and devices. Final report, September 1986-September 1987".
C. M. Dozier et al, “Charge yield for cobalt-60 and 10-keV X-ray irradiations of MOS devices,” J. of IEEE Transactions on Nuclear Science,Vol. 34, Issues 6, 1987, pp. 1535 1539.
Dao Dinh Ha; Tran Tuan Trung; Nguyen Trong Quang, I. Lovshenko, V. Khanko, V, Stempitsky, “Simulation of the Heavy Charged Particle Impacts on Electrical Characteristics of N-MOSFET Device Structure,” 2019 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC), pp. 189 - 192.
Silvaco. [Electronic resource]. – Access mode: http://silvaco.com/. – Access date: 20.04.2021.
