An approach to design and manufacture a limiter, capable of adjusting output signal level for X-band radars

Authors

  • Vu Minh Thanh (Corresponding Author) Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Tran Minh Nghia Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Luong Van Trinh Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Nguyen Van Viet Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự

Keywords:

Limiter, Variable attenuation limiter, PIN diode

Abstract

This paper presents a study, design, and manufacture of a power limiter capable of adjusting the output signal level applied to the X-band radar receiver. The limiter is designed based on 2 stages of PIN diodes impedance matching on the micro-strip line is capable of withstanding up to 59dBm of input power and limiting the highest output power to 19dBm to protect the receiver while also being able to attenuate the output signal in 032dB range to enhance dynamic receiver range. Calculations can be performed at the appropriate frequency range for the required application.

References

Phạm Minh Việt, “Kỹ thuật siêu cao tần”, NXB Khoa học và Kỹ thuật, 2002.

Skyworks, “Design with PIN diodes application note”, 2012.

Skyworks, “CLA Series: silicon limiter diode bondable chips datasheet”, 2010.

R. Cory, “PIN-limiter diodes effectively protect receivers, Electron Design News”, 2004.

S. S. Yang, T. Y. Kim and D. K. Kong, “A Novel Analysis of a Ku-Band Planar p-i-n Diode Limiter”, IEEE, 2009.

David J. Seymour, David D. Heston, Ralldan E. Lehhmna, Donna Zych, “X band monolithic GaAs PIN diode variable attenuation limiter”, Texas Instrument Incorporated.

Published

01-08-2021

How to Cite

[1]
T. Vu Minh, N. Tran Minh, T. Luong Van, and V. Nguyen Van, “An approach to design and manufacture a limiter, capable of adjusting output signal level for X-band radars”, J. Mil. Sci. Technol., no. RD, pp. 117–121, Aug. 2021.

Issue

Section

Research Articles