Về một giải pháp thiết kế, chế tạo bộ hạn chế công suất có khả năng điều chỉnh mức tín hiệu ra cho ra đa băng tần X

Các tác giả

  • Vũ Minh Thành (Tác giả đại diện) Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Trần Minh Nghĩa Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Lương Văn Trình Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
  • Nguyễn Văn Việt Viện Ra đa - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự

Từ khóa:

Bộ hạn chế công suất, Suy giảm tín hiệu, Điốt PIN

Tóm tắt

Bài báo trình bày một nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ hạn chế công suất có khả năng điều chỉnh mức tín hiệu ra ứng dụng cho máy thu ra đa băng tần X. Bộ hạn chế được thiết kế dựa trên 2 tầng điốt PIN được phối hợp trở kháng trên đường truyền vi dải có khả năng chịu công suất tín hiệu vào đến 59 dBm và hạn chế mức công suất ra cao nhất ở 19 dBm để bảo vệ máy thu, đồng thời có khả năng điều chỉnh suy giảm mức tín hiệu ra trong dải 0-32 dB để nâng cao dải động máy thu. Các tính toán có thể thực hiện ở dải tần thích hợp cho các ứng dụng theo yêu cầu.

Tài liệu tham khảo

Phạm Minh Việt, “Kỹ thuật siêu cao tần”, NXB Khoa học và Kỹ thuật, 2002.

Skyworks, “Design with PIN diodes application note”, 2012.

Skyworks, “CLA Series: silicon limiter diode bondable chips datasheet”, 2010.

R. Cory, “PIN-limiter diodes effectively protect receivers, Electron Design News”, 2004.

S. S. Yang, T. Y. Kim and D. K. Kong, “A Novel Analysis of a Ku-Band Planar p-i-n Diode Limiter”, IEEE, 2009.

David J. Seymour, David D. Heston, Ralldan E. Lehhmna, Donna Zych, “X band monolithic GaAs PIN diode variable attenuation limiter”, Texas Instrument Incorporated.

Tải xuống

Đã Xuất bản

01-08-2021

Cách trích dẫn

[1]
T. Vũ Minh, N. Trần Minh, T. Lương Văn, và V. Nguyễn Văn, “Về một giải pháp thiết kế, chế tạo bộ hạn chế công suất có khả năng điều chỉnh mức tín hiệu ra cho ra đa băng tần X”, J. Mil. Sci. Technol., số p.h RD, tr 117–121, tháng 8 2021.

Số

Chuyên mục

Nghiên cứu khoa học