Hệ số chuyển động electron trong hỗn hợp TRIES/SIH4

Các tác giả

  • Hien Pham Xuan University of Transport and Communication
  • Tuoi Phan Thi Hung Yen University of Technology and Education
  • Tuan Do Anh (Tác giả đại diện) National Center for Technological Progress, Vietnam Ministry of Science & Technology

Từ khóa:

Các hệ số chuyển động electron, phương trình Boltzmann, PECVD, TRIES, SiH4

Tóm tắt

Các hệ số chuyển động electron cho hỗn hợp TRIES-SiH4 trong dải 0.1-1000 Td được tính toán lần đầu tiên thông qua việc giải phương trình xấp xỉ bậc hai Boltzmann. Các tính toán dựa trên các bộ tiết diện va chạm electron đáng tin cậy cho các phân tử TRIES và SiH4. Kết quả trong nghiên cứu này là dữ liệu quan trọng cho việc mô hình hóa và mô phỏng phóng điện plasma sử dụng hỗn hợp TRIES-SiH4.

Tài liệu tham khảo

G. Franz, "Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Organic Polymers," Processes, Vol. 9, no. 6, pp. 980, (2021).

J. H. Lee, C. H. Jeong, J. T. Lim, N. G. Jo, S. J. Kyung and G. Y. Yeom, "Characteristic of SiO2 Films Deposited by Using Low-Temperature PECVD with TEOS/N2/O2," Journal of the Korean Physical Society, Vol. 46, pp. 890-894, (2005).

Y. Kudoh, Y. Homma, N. Sakuma, T. Furusawa and K. Kusukawa, "Directional Plasma CVD Technology for Sub-quarter-micron Feature Size Multilevel Interconnections," Japanese journal of applied physics, Vol. 37, pp. 1145-1149, (1998).

P.T. Tuoi, D. A. Tuan, P.X. Hien "Electron Collision Cross Sections for the TRIES Molecule and Electron Transport Coefficients in TRIES-Ar and TRIES-O2 Mixtures" Journal of the Korean Physical Society, Vol. 73, No. 12, pp. 1855-1862, (2018).

M. Kurachi and Y. Nakamura, "Electron collision cross sections for the monosilane molecule," Journal of Physics D: Applied Physics 22, pp. 107, (1989).

H. Tagashira, Y. Sakai, and S. Sakamoto, "The development of electron avalanches in argon at high E/N values. II. Boltzmann equation analysis" J. Phys. D. 10, pp. 1051-1063, (1977).

P. X. Hien, P. T. Tuoi, T. C. Nhung, D. A. Tuan, "Studying Effect of Adding Buffer Gases Studying Effect of Adding Buffer Gases Transport Coefficients", Lecture Notes in Networks and Systems, Vol. 104, pp. 693-703, (2020).

P.X. Hien, D. A. Tuan, B.H. Jeon, "Electron collision cross sections for the BF3 molecule and electron transport coefficients in BF3–Ar and BF3–SiH4 mixtures," Journal of the Physical Society of Japan 82, pp. 034301-034308, (2013).

Tải xuống

Đã Xuất bản

01-10-2021

Cách trích dẫn

[1]
H. Pham Xuan, T. Phan Thi, và T. Do Anh, “Hệ số chuyển động electron trong hỗn hợp TRIES/SIH4”, J. Mil. Sci. Technol., số p.h FEE, tr 23–27, tháng 10 2021.

Số

Chuyên mục

Nghiên cứu khoa học